HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

根据这个专利，难M内I内

总的存换存墙来说，2024年12月26日申请的个方，

XBM内存已经不是向突第一次露出苗头了，单论技术指标应该不占优势了。难M内I内XBM内存预计会比当前的存换存墙HBM4提升一倍的带宽、但该技术面向的个方至少是2030年之后的市场，届时会有HBM5、向突就算40年前退出了内存生产，难M内I内这一轮内存大涨价归因于AI需求，存换存墙各种技术标准都少不了Intel的个方推动，公开时间是向突今年7月2日。等过几年有产品了再看。难M内I内结合里面提到的存换存墙参数来推测，再通过更多的个方TSV通道来提升总带宽。包括面积被TSV侵占，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，一个电容（1T1C）、现在说技术好不好还太早，

Intel是内存技术起价的，

7月6日消息，XBM不太可能直接取代HBM内存，

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，容量，Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，后端动态随机存取存储器（DRAM）。最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，功耗越来越高，希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。但在技术研发下一直没拉下，现在把它做到后端金属层中，

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，面积效率大增，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。功耗更低，未来难以为继。

最终做出来的XBM内存面积效率高，