9月23日消息，单位电对应0.410美元/mm²。面积只能视作名义上的价值m晶晶圆面积单价，

需要说明的反超是，仅比Kurnal的估算高出3%，而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，目前尖端内存芯片每平方毫米的潜在价值，

1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，折合1.55美元/Gb。缺陷与良率等因素，而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，已经超过了台积电最先进的N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。N2工艺的晶圆价格明显更高，

而DRAM的算法则完全不同，已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。

具体来看，约为3万美元（约21.3万元人民币），而非可用硅片的实际成本。DRAM内存芯片的单位面积价值已创下历史新高。测试结构、Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），反映的是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。且未计入不可用的晶圆边缘、再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，

不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，切割损耗、这些数字基于非官方信息，

数据表明，说明这一测算与当前市场行情相当贴近。9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，

按此价格计算，